A.小ロットの場合は通常5枚~10枚前後でのご提供とさせて頂いておりますが、
製品によっては1枚~5枚のご提供も可能です。
A.サンプル時や製品によっては別途ご負担頂く場合もございますが、
通常は送料を含んだかたちでのご提案とさせて頂いております。
A.在庫製品の場合は最短でご発注頂いた翌日~翌々日にお届けさせて頂くことも可能です。
ご発注頂いた時間や地域によってはお時間を要する場合もございますのでご了承ください。
A.お受けしております。海外の場合の輸送費用は通常お客様ご負担にて御願いさせて頂いております。
A.通常はお受けしておりませんが、研究・開発などでご予算が限られている場合は
可能な限りご協力をさせて頂いております。
A.在庫製品でお客様のご要望に沿うことが出来ない場合はインゴットからの製造が可能です。
ご要望の仕様に沿うインゴットの在庫があればご要望通りのウエハーをお創りして提供させて頂きます。
A.当社では自社PB及び国内協力工場製品以外に、
信越半導体(S.E.H)、SUMCO社の製品を取扱っております。
このほかのメーカー品につきましてもご希望がございましたらお気軽にご相談ください。
A.一般的に融液から凝固した固体の塊をいいます。
シリコンの場合、シリコン融液から成長した単結晶の塊のことをいいます。
A.ウエハーの電気特性を決める要素の一つで、ドーパント(不純物)の種類によって区分されます。
一般的にPタイプはホウ素(B)、Nタイプはリン(P)やアンチモン(Sb)などを加えます。
A.原子が並んでいる結晶の方向をいいます。
一般的にはミラー指数を用いて(100)、(111)、(110)などと表します。
A.結晶方位や伝導型の判別及び位置合わせを容易にするために
インゴットやウエハー外周に設けられたフラットな面をいいます。
A.結晶方向の判別を容易にするためインゴットやウエハー外周に設けられた切りかき(溝)をいいます。
オリフラと同じ役割で、通常は8インチと12インチのウエハーがノッチに対応しています。
A.半導体中での電流の流れやすさを表す値です。シリコンウエハーでは一般的にΩ・㎝で表し、
値が小さいほど電気を通しやすくなります。
A.ウエハー平坦度の評価項目の一つで、裏面基準面からの厚みの最大値と最小値の差をいいます。
値が小さいほど平坦度の精度が高いウエハーになります。SEMIではGBIRともいいます。
A.ウエハー平坦度の評価項目の一つで、基準面からウエハー中心面までの距離をいいます。
値が小さいほど平坦度の精度が高いウエハーになります。このほかwarpという評価項目もあります。
A.一般的には塊の総称です。半導体関係では半導体素子の基板となるシリコンウエハーや
GaAsウエハーなどの素子を作る表面層と区別するため、
一般的にはウエハー表面から数10μm以上の内部を表わします。
A.一般的には薄い板状のものを表わします。半導体関連では半導体素子の基板となるSiや
GaAsなどの単結晶を薄い板状にしたものをシリコンウエハー、GaAsウエハーなどとよびます。
太陽電池の用途では多結晶のウエハーもあります。
A.結晶基板上に結晶格子が下地の結晶基板と整合するように薄膜を成長させたウエハーのことをいいます。
一般的にバイポーラデバイスでは比較的厚いエピタキシャルウエハーが用いられ、
MOSデバイスでは数μm以下が用いられます。
A.絶縁膜(一般的にはシリコン酸化膜)上に単結晶Si層が形成されたウエハーのことをいいます。
この単結晶Si層にトランジスタを形成し寄生容量低減やリーク電流低減などによって、
トランジスタの高性能化が図れます。
A.ウエハーの最終的な表面仕上げ状態を表わします。
シリコンウエハーの場合は一般的に片面を鏡面加工してポリッシュドウエハー、
片面ミラーウエハーなどとよばれます。
このほかスライス工程後、ラッピング工程後、エッチング工程後のウエハーをそれぞれ、
アズスライス(アズカット)ウエハー、ラップドウエハー、エッチドウエハーなどとよびます。
A.半導体に関連する主メーカーなど国際的な業界団体であるSEMI (Semiconductor Equipment
and Materials International)が半導体産業の国際規格の統一を図るために定めた規格になります。
シリコンウエハーなども直径、厚み等この規格によって定められている仕様があります。
A.一般社団法人電子情報技術産業協会で定められた規格をいいます。
シリコンウエハーなども直径、厚み等この規格によって定められている仕様があります。
日本国内ではSEMI規格に加え、JEITA規格での需要も多くなっています。
その他ご不明な点などございましたら、総合お問合せページよりお気軽にお問合せください
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